[发明专利]高克容量硅碳负电极及其制备方法和锂离子电池在审
| 申请号： | 201610681521.7 | 申请日： | 2016-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN106560940A | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 王继生;孟亚斌;於志锋;蔡家培 | 申请（专利权）人： | 深圳市优特利电源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/13 | 分类号： | H01M4/13;H01M4/139;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所44237 | 代理人： | 左光明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅碳负电极及其制备方法和锂离子电池。本发明硅碳负电极包括，所述集流体具有相对设置的两个表面，一表面上涂设有第一活性层，另一表面上涂设有第二活性层。本发明硅碳负电极结构稳定性稳定，电化学性能好，其制备方法工艺条件可控，制备的硅碳负电极性能稳定。本发明锂离子电池含有硅碳负电极，其循环性能稳定，使用寿命长，且安全性能高。 | ||
| 搜索关键词： | 容量 硅碳负 电极 及其 制备 方法 锂离子电池 | ||
【主权项】：
一种硅碳负电极，包括集流体，所述集流体包括相对设置的两个表面，一表面上涂设有第一活性层，另一表面上涂设有第二活性层；其中，所述第一活性层包括如下重量份的组分：所述第二活性层包括如下重量份的组分：
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