[发明专利]第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板在审
| 申请号： | 201610681560.7 | 申请日： | 2013-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106319617A | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 林昌弘;皿山正二;佐藤隆;木村千春;三好直哉;村上明繁;和田纯一 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | C30B9/06 | 分类号： | C30B9/06;C30B29/40;C01B21/064;C01B21/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 宋莉,肖靖泉 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板。第13族氮化物晶体具有六方晶结构，其含有氮原子和选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子。所述第13族氮化物晶体具有多个方向的基面位错。所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度。 | ||
| 搜索关键词： | 13 氮化物 晶体 | ||
【主权项】：
第13族氮化物晶体，其具有六方晶结构，且含有氮原子以及选自B、Al、Ga、In和Tl的至少一种类型的金属原子，所述第13族氮化物晶体包含：多个方向的基面位错，其中所述基面位错的位错密度高于c面的穿透位错的位错密度；设置于与c轴相交的截面的内侧的第一区域；和设置于所述截面上的所述第一区域的外侧且具有与所述第一区域的晶体性质不同的晶体性质的第二区域，其中所述第一区域具有：第三区域，其设置于所述截面的内侧且在通过电子束激发或紫外光激发导致的发射光谱中具有包括GaN的带边发射的第一峰和在比第一峰长的波长侧的第二峰，所述第一峰的峰强度低于所述第二峰的峰强度，和第四区域，其设置于所述第三区域的外侧且在通过电子束激发或紫外光激发导致的发射光谱中具有包括GaN的带边发射的第一峰和在比所述第一峰长的波长侧的第二峰，所述第一峰的峰强度高于所述第二峰的峰强度，所述第四区域具有等于或大于100nm的厚度。
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