[发明专利]保护带粘贴方法在审
申请号: | 201610681811.1 | 申请日: | 2016-08-17 |
公开(公告)号: | CN106469670A | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 村山拓 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种保护带粘贴方法。在保护带的剥离时,以不使半导体晶圆的电路形成面的凸块等凸部破损的方式将保护带粘贴于半导体晶圆。在构成腔室的第1外壳和第2外壳中的一者的接合部粘贴比腔室的内径大的保护带,在利用该接合部夹着保护带的状态下,一边使半导体晶圆与该保护带的粘合面接近并相对一边形成腔室。一边使收纳保持半导体晶圆的第2外壳的空间的气压比第1外壳的空间的气压低,一边对两空间的压力差进行调整,使保护带的粘合剂与半导体晶圆外周密合,并且,在凸部整体埋没于粘合剂之前停止保护带的向半导体晶圆的粘贴。而且,在使两空间的压力恢复到均匀后使两空间同时恢复到大气压。 | ||
搜索关键词: | 保护 粘贴 方法 | ||
【主权项】:
一种保护带粘贴方法,在半导体晶圆的具有凸部的电路形成面粘贴保护带,其特征在于,该保护带粘贴方法包括如下工序:第1粘贴工序,在该第1粘贴工序中,在构成腔室的第1外壳和第2外壳这成对的外壳中的一个外壳的接合部上粘贴比该腔室的内径大的所述保护带;腔室形成工序,在该腔室形成工序中,在利用所述第1外壳和第2外壳的接合部夹着所述保护带的状态下,一边使半导体晶圆与该保护带的粘合面接近并相对一边形成腔室;第2粘贴工序,在该第2粘贴工序中,一边使收纳保持所述半导体晶圆的第2外壳的空间的气压比第1外壳的空间的气压低一边调整两空间的压力差,使保护带的粘合剂与半导体晶圆外周密合,并且,在凸部整体被粘合剂埋没之前停止保护带的向半导体晶圆的粘贴;大气开放工序,其在所述第2粘贴工序后,在该大气开放工序中,在使两空间的压力恢复到均匀后,使两空间同时恢复到大气压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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