[发明专利]高致密性碳化硅陶瓷的制备方法

摘要

本发明公开了一种高致密性碳化硅陶瓷的制备方法，属于碳化硅电加热元件领域。本发明的制备方法包括以下步骤选择不同粒径等级的碳化硅粉料作为原料，所述粒径等级分别为D11000～1300μm、D2355‑425μm、D3180‑212μm、D420‑60μm、D52‑5μm，选择D1、D2、D3、D4、D5的合理配比的碳化硅粉料制备坯体，干燥，经过高温处理后，按照常规的烧结工艺即制得碳化硅陶瓷。本发明能克服现有技术存在的致密性低、工艺复杂、效率较低、成本较高，不适合大规模生产和应用的缺陷。

主权项

一种高致密性碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择不同粒径等级的碳化硅粉料作为原料，所述粒径等级分别为D11000～1300μm、D2355‑425μm、D3180‑212μm、D420‑60μm、D52‑5μm；步骤2：按比例D1％:D2％＝7‑9：3‑1进行碳化硅粉料的混料，制样，测密度，确定D1、D2合理配比；步骤3：向步骤2得到的D1和D2碳化硅粉料中按比例(D1％+D2％):D3％＝7‑9：3‑1加入D3，进行混料，制样，测密度，确定D1、D2、D3合理配比；步骤4：向步骤3得到的D1、D2和D3碳化硅粉料中按比例(D1％+D2％+D3％):D4％＝7‑9：3‑1加入D4，进行混料，制样，测密度，确定D1、D2、D3、D4的合理配比；步骤5：向步骤4得到的D1、D2、D3和D4碳化硅粉料中按比例(D1％+D2％+D3％+D4％):D5％＝7‑9：3‑1加入D5，进行，混料，制样，测密度，确定D1、D2、D3、D4、D5的合理配比；步骤6：利用步骤5得到的碳化硅粉料制备坯体，干燥，经过高温处理后，按照常规的烧结工艺即制得碳化硅陶瓷。