[发明专利]提高MOSFET管电流采样精度的方法、系统和电机驱动系统

摘要

本发明特别涉及一种提高MOSFET管电流采样精度的方法、系统和电机驱动系统。包括MOSFET管、采样电阻、第一采样电路、第二采样电路、第一计算模块和第二计算模块，第一采样电路采集MOSFET管两端的电压信号；第二采样电路采集采样电阻两端的电压信号；第一计算模块生成MOSFET管内阻值；第二计算模块根据MOSFET管两端的电压信号和MOSFET管内阻值生成流经MOSFET管的电流。本发明在增加很少成本的情况下，大幅提升MOSFET管电流采样的精度，同时无需在挑选温度特性稳定一致的MOSFET管器件上耗费太多时间和人力成本，提高了电流采样效率的同时，从总体上降低了成本；与采用3电阻进行电流采样的方案相比，还提高了电机驱动系统的效率，缩小了驱动系统的体积。

主权项

1.一种提高MOSFET管电流采样精度的系统，其特征在于，包括MOSFET管、采样电阻、第一采样电路、第二采样电路、第一计算模块和第二计算模块，所述采样电阻一端接地，另一端连接MOSFET管的源级，/n所述第一采样电路用于采集MOSFET管两端的电压信号；/n所述第二采样电路用于采集采样电阻两端的电压信号；/n所述第一计算模块用于根据MOSFET管两端的电压信号、采样电阻两端的电压信号以及采样电阻的阻值生成MOSFET管内阻值；/n所述第二计算模块用于根据MOSFET管两端的电压信号和MOSFET管内阻值生成流经所述MOSFET管的电流；/n所述第一采样电路包括第一运算放大电路和第一模数转换电路，所述第一运算放大电路用于采集MOSFET管两端的第一模拟电压信号，所述第一模数转换电路用于将所述第一模拟电压信号转换为第一数字电压信号；所述第二采样电路包括第二运算放大电路和第二模数转换电路，所述第二运算放大电路用于采集采样电阻两端的第二模拟电压信号，所述第二模数转换电路用于将所述第二模拟电压信号转换为第二数字电压信号；/n还包括分别与所述第一计算模块连接的第一校正模块和第二校正模块；/n所述第一校正模块用于通过低通滤波器对所述第一数字电压信号和第二数字电压信号进行滤波，并采用迭代的方法使生成的MOSFET管内阻值逼近所述MOSFET管的实际内阻值；/n所述第二校正模块用于每间隔预设时间控制第一采样电路采集MOSFET管两端的电压信号，以及控制第二采样电路采集采样电阻两端的电压信号，并采用第一计算模块生成的新的MOSFET管内阻值对当前MOSFET管内阻值进行更新，所述预设时间的取值范围为1ms～5min。/n