[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201610685667.9 | 申请日: | 2016-08-18 |
公开(公告)号: | CN106469724B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 拉希尔·阿兹马特;迪帕克·夏尔马;金秀贤;朴哲弘 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 张帆;崔卿虎 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体装置,该半导体装置包括:衬底,其具有第一逻辑单元、第二逻辑单元和第三逻辑单元;有源图案,其设置在第一逻辑单元至第三逻辑单元中的每一个中,以从衬底突出;以及栅极结构,其与有源图案交叉。第二逻辑单元和第三逻辑单元在第一方向上彼此间隔开,并且第一逻辑单元介于它们之间。有源图案在第一方向上排列,并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸。当在第一方向上测量时,分别在第一逻辑单元和第二逻辑单元中的最邻近的一对有源图案之间的距离与分别在第一逻辑单元和第三逻辑单元中的最邻近的一对有源图案之间的距离不同。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包括:衬底,其包括第一逻辑单元、第二逻辑单元和第三逻辑单元,第二逻辑单元和第三逻辑单元在第一方向上彼此间隔开,并且第一逻辑单元介于第二逻辑单元和第三逻辑单元之间;有源图案,其设置在第一逻辑单元至第三逻辑单元中的每一个中,以从衬底突出;以及栅极结构,其与有源图案交叉,其中有源图案在第一方向上排列,并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸,并且包括第一方向上彼此最邻近的来自第一逻辑单元的一个有源图案和来自第二逻辑单元的另一个有源图案的第一邻近的一对有源图案之间的第一距离与包括第一方向上彼此最邻近的来自第一逻辑单元的一个有源图案和来自第三逻辑单元的另一个有源图案的第二邻近的一对有源图案之间的第二距离不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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