[发明专利]一种内嵌重掺杂光栅层的半导体红外探测器

摘要

本发明实施例公开了一种内嵌重掺杂光栅的半导体红外探测器。该半导体红外探测器包括：衬底；在所述衬底上依次生长的下电极层、多量子阱有源层、以及上电极层；在所述衬底上还生长有重掺杂光栅层，所述重掺杂光栅层生长在所述上电极层和所述多量子阱有源层之间，或者所述多量子阱有源层和所述下电极层之间；在所述衬底上还生长有过渡层，所述过渡层生长在所述重掺杂光栅层和所述多量子阱有源层之间。本发明实施例通过在多量子阱有源层和下电极层之间，或者多量子阱有源层和上电极层之间设置重掺杂光栅层，以使得入射光与重掺杂光栅层中的电子相互作用并在光栅层界面形成等离激元，从而在多量子阱有源层内形成局域增强的光场，进而提高探测器有源区的吸收效率。

主权项

一种内嵌重掺杂光栅的半导体红外探测器，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上依次生长的下电极层、多量子阱有源层、以及上电极层；在所述衬底上还生长有重掺杂光栅层，所述重掺杂光栅层生长在所述上电极层和所述多量子阱有源层之间，或者所述多量子阱有源层和所述下电极层之间；在所述衬底上还生长有过渡层，所述过渡层生长在所述重掺杂光栅层和所述多量子阱有源层之间。