[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201610687196.5 | 申请日: | 2016-08-18 |
公开(公告)号: | CN106531736B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 薮内诚 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/088 | 分类号: | H01L27/088 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;董典红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及半导体器件。控制数据保持时间而不额外增加电路面积。半导体器件包括由鳍形成的数据缓冲器和触发器。作为延迟线,与鳍的栅极电极位于同一层中的栅极布线被设置在从数据缓冲器的数据输出节点到触发器的数据输入节点的数据信号路径中。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种半导体器件,包括:至少一个逻辑电路,形成在半导体衬底上方,包括用于接收数据信号的数据输入节点和用于接收时钟信号的时钟输入节点,并且包括鳍型场效应晶体管;以及至少一个数据缓冲器,形成在所述半导体衬底上方,包括耦合至所述逻辑电路的数据输入节点的数据输出节点,并且包括鳍型场效应晶体管,其中,从所述数据缓冲器的数据输出节点到所述逻辑电路的数据输入节点的数据信号的路径包括与形成所述逻辑电路和所述数据缓冲器的所述鳍型场效应晶体管的栅极电极位于同一层中的栅极布线,并且其中,如在所述半导体衬底的平面中看到的,从所述数据输出节点到所述数据输入节点的数据信号的路径长度长于所述数据输出节点和所述数据输入节点之间的直线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的