[发明专利]一种用于晶圆表面缺陷检测的信息处理方法有效
申请号: | 201610688543.6 | 申请日: | 2016-08-18 |
公开(公告)号: | CN106206351B | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 陈鲁;刘虹遥;张朝前;杨乐;马砚忠;路鑫超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
地址: | 314006 浙江省嘉兴市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明属于晶圆检测技术领域,公开了一种用于晶圆表面缺陷检测的信息处理方法,利用同一缺陷引起的多个信息对应位置较近的特点,将定位坐标距离与比较距离进行比较,根据比较结果对信息进行合并处理。本发明解决了现有技术中晶圆表面缺陷检测的重复扫描导致重复信息,从而降低晶圆表面缺陷检测结果的准确性的问题。达到了有效提高晶圆表面缺陷检测结果的准确性的技术效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 表面 缺陷 检测 信息处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于晶圆表面缺陷检测的信息处理方法,其特征在于,所述用于晶圆表面缺陷检测的信息处理方法包括以下步骤:获得晶圆表面缺陷检测的信息,所述信息包括n个信号点的位置信息和强度信息;根据所述n个信号点的所述强度信息,将所述n个信号点按强度大小进行降序排列;按排序将所述n个信号点的位置信息和强度信息依次放入第一数据组中;其中,所述第一数据组中包括第一数据,所述第一数据为所述第一数据组强度最大的信号点;将所述第一数据的位置信息和强度信息放入第二数据组中,并在所述第一数据组中删除所述第一数据的位置信息和强度信息;根据所述位置信息,计算所述第二数据组中的所述第一数据与所述第一数据组中的第i号信号点之间的直线距离,将该直线距离定义为定位坐标距离ri,其中i∈[1,n‑1];获取比较距离R,所述比较距离R按照下述方法确定:R=2R0‑r;其中,0≤r≤R0;R0为光斑半径,不同时刻的光斑半径相同;r为不同时刻光斑重叠区域的轴向距离;或者所述比较距离R按照下述方法确定:(1)利用实验手段检测一片分布有标准纳米颗粒晶圆的颗粒分布,得到实验结果;(2)利用散射检验法进行检测,得到检测结果;(3)将所述检测结果利用不同的R值进行修正,得到多个修正结果;(4)将所述多个修正结果分别与所述实验结果进行比较,获取比较距离R;将所述定位坐标距离ri依次与所述比较距离R进行比较,并按下述规则进行处理:若ri
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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