[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610688858.0 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106653845B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 张哲诚;林志翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体器件包括衬底、至少两个栅极间隔件和栅极堆叠件。衬底具有多个半导体鳍。栅极间隔件设置在衬底上。栅极间隔件的至少一个具有面向另一个栅极间隔件的侧壁。栅极堆叠件设置在栅极间隔件之间。栅极堆叠件包括高k介电层和栅电极。高k介电层设置在衬底上并且覆盖半导体鳍的至少部分而保留至少一个栅极间隔件的侧壁未被覆盖。栅电极设置在高k介电层上。本发明实施例涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底，具有至少一个半导体鳍；/n至少两个栅极间隔件，设置在所述衬底上，其中，所述栅极间隔件的至少一个具有面向所述栅极间隔件的另一个的侧壁；以及/n栅极堆叠件，设置在所述栅极间隔件之间，所述栅极堆叠件包括：/n高k介电层，设置在所述衬底上并且覆盖所述半导体鳍的至少部分而保留所述至少一个栅极间隔件的所述侧壁未被覆盖；/n栅电极，设置在所述高k介电层上；和/n金属层，设置在所述高k介电层和所述栅电极之间，所述金属层附接至所述至少一个栅极间隔件的所述侧壁，/n其中，所述栅极堆叠件在俯视图中的形状是矩形，其中，所述至少两个栅极间隔件仅形成在所述栅极堆叠件的第一对相对侧上，其中，独立于所述至少两个栅极间隔件的绝缘结构形成在所述栅极堆叠件的第二对相对侧上。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610688858.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
