[发明专利]影像感测器及其制作方法

摘要

本发明公开一种影像感测器及其制作方法，其中影像感测器包括一半导体基底，且半导体基底表面包含至少一凹槽设于感光区内，影像感测器另包括一第一导电型掺杂区设于半导体基底中并位于感光区内、一第二导电型掺杂区设于第一导电型掺杂区的表面以及凹槽表面，其中第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区构成影像感测器的感光元件，且第一导电型掺杂区与第二导电型掺杂区具有不同的导电型。

主权项

一种影像感测器，其包括：半导体基底，其表面定义有一感光区，且该半导体基底表面包含至少一凹槽(recess)，设于该感光区内；第一导电型掺杂区，设于该半导体基底中并位于该感光区内；第二导电型掺杂区，设于该第一导电型掺杂区的表面以及该凹槽表面，其中该第一导电型掺杂区与该第二导电型掺杂区具有不同的导电型，且该第一导电型掺杂区与该第二导电型掺杂区构成一感光元件；栅极，设于该半导体基底上；栅极氧化层，设于该栅极与该半导体基底之间；以及掺杂扩散区，设于该半导体基底中，且该栅极位于该第一导电型掺杂区与该掺杂扩散区之间。