[发明专利]一种硫属相变存储器CRAM的存储元结构与驱动电路在审
| 申请号： | 201610691538.0 | 申请日： | 2016-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN107767909A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 胡松华 | 申请（专利权）人： | 胡松华 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种硫属相变存储器CRAM的存储元结构与驱动电路，适用于电子领域。CRAM的存储元结构与驱动电路由写电路、读电路模块、带译码器的CRAM存储矩阵组成。电路结构较为紧凑，体积小，存储容量较高，工作稳定，适应性好，提高了工作效率，功耗低，且具有良好的抗干扰性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 属相 存储器 cram 存储 结构 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种硫属相变存储器CRAM的存储元结构与驱动电路，其特征是：所述的CRAM的存储元结构与驱动电路由写电路、读电路模块、带译码器的CRAM存储矩阵组成。
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