[发明专利]针对半浮栅晶体管浮栅工艺的方法在审
| 申请号： | 201610692299.0 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106229265A | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 曹坚;何志斌;景旭斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种针对半浮栅晶体管浮栅工艺的方法，包括：第一步骤：衬底中形成半浮栅阱区，在衬底表面形成氧化物层，并且在半浮栅阱区中形成由隔离区隔开的半浮栅凹槽；在氧化物层上依次形成SOC材料层、抗反射涂层和光刻胶层，并形成光刻胶层的图案；利用形成图案的光刻胶层刻蚀抗反射涂层、SOC材料层和氧化物层以形成在氧化物层中形成开口；去除SOC材料层、抗反射涂层和光刻胶层，其中去除了半浮栅凹槽中的SOC材料层；清洗暴露的氧化物层；在清洗之后沉积栅极多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 半浮栅 晶体管 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种针对半浮栅晶体管浮栅工艺的方法，其特征在于包括：第一步骤：衬底中形成半浮栅阱区，在衬底表面形成氧化物层，并且在半浮栅阱区中形成由隔离区隔开的半浮栅凹槽；第二步骤：在氧化物层上依次形成SOC材料层、抗反射涂层和光刻胶层，并形成光刻胶层的图案；第三步骤：利用形成图案的光刻胶层刻蚀抗反射涂层、SOC材料层和氧化物层以形成在氧化物层中形成开口；第四步骤：去除SOC材料层、抗反射涂层和光刻胶层，其中去除了半浮栅凹槽中的SOC材料层；第五步骤：清洗暴露的氧化物层；第六步骤：在清洗之后沉积栅极多晶硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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