[发明专利]一种二极管的优化生产工艺在审

专利信息
申请号: 201610692856.9 申请日: 2016-08-22
公开(公告)号: CN106067419A 公开(公告)日: 2016-11-02
发明(设计)人: 何勇;胡苏;余凯 申请(专利权)人: 成都众乐泰科技有限公司
主分类号: H01L21/329 分类号: H01L21/329
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种二极管的优化生产工艺,将硅晶芯片切割成六边形的单元体酸洗后,进行清洗;在400~500℃下进行氧化反应;管芯在650~750℃下进行真空烧结,30分钟后进行镀膜;将管芯切割为六边形直棱柱;用30~50度角的锥形磨角器将管芯研磨出第一斜面,然后再在第一斜面的上沿研磨出同一角度的第二斜面;将切割好的管芯放置在酸溶液内进行酸洗,然后涂聚酰亚胺进行固化处理;进行模压处理,模压后在180℃下进行烘烤;最后对所得产品进行表面处理,通过再测试后,进行成品包装。本发明采用多层压接式的结构,降低管芯的热疲劳,减少漏电、性能良好;不使用焊接,有效防止电阻增加;在管芯真空烧结前进行酸洗,防止引线及焊片引入其他杂质元素。
搜索关键词: 一种 二极管 优化 生产工艺
【主权项】:
一种二极管的优化生产工艺,其特征在于,包括以下步骤;(1)将硅晶芯片切割成六边形的单元体;(2)用混合酸进行酸洗后,再用超声波进行清洗;(3)清洗完毕后,在400~500℃下通入氧气,进行氧化反应;(4)管芯从下向上依次包括引线、焊片、芯片、焊片、引线,在650~750℃下进行真空烧结,烧结30分钟后,利用CVD气相沉积进行镀膜;(5)将管芯切割为六边形直棱柱;(6)首先使用30~50度角的锥形磨角器将管芯研磨出第一斜面,然后再在第一斜面的上沿研磨出同一角度的第二斜面;(7)将切割好的管芯放置在酸溶液内进行酸洗,然后涂聚酰亚胺进行固化处理;(8)进行模压处理,模压后在180℃下进行烘烤;(9)最后对所得产品进行表面处理,通过再测试后,进行成品包装。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都众乐泰科技有限公司,未经成都众乐泰科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610692856.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code