[发明专利]一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法有效
| 申请号： | 201610693862.6 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106340323B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 马金龙;孙杰杰;封晴;吴素贞;于跃;王栋;徐睿 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组，在每一组编程脉冲的第二个编程脉冲期间，进行编程电流Ipp检测，并且在每一组编程脉冲完成后，进行该字节数据读取验证；在对所有字节编程完成后，进行全片数据读取校验。采用本发明的编程方法，能够有效地避免反熔丝被误编程，提升芯片的编程成功率，通过优化编程算法，提高编程后反熔丝PROM电路的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 mtm 反熔丝 prom 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种适用于MTM反熔丝PROM的编程方法，包括：编程器与PROM电路成功连接；根据读取的PROM电路型号选择适当的编程算法；对PROM电路空片检查；编程器根据加载的要对PROM电路进行编程的数据以及对应的地址进行编程寻址，其特征在于，还包括：对欲编程的反熔丝施加每一个编程脉冲之前先进行编程预充电；上一个编程脉冲完成后，施加下一个编程脉冲之前先给PROM电路一定的热弛豫时间；将编程脉冲进行分组，两个一组，在每一组编程脉冲的第二个编程脉冲期间，进行编程电流Ipp检测，并且在每一组编程脉冲完成后，进行编程中的字节数据读取验证；在对所有字节编程完成后，进行全片数据读取校验。
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