[发明专利]降低金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀缺陷生长的方法有效
| 申请号： | 201610694050.3 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106206422B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 庄望超;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/312 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种降低金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀缺陷生长的方法，包括：执行金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀处理；第二步骤：运用刻蚀设备清洗掉晶圆表面刻蚀过程中产生的聚合物；第三步骤：运用刻蚀设备在晶圆表面沉积一层比较稳定的聚合物，以阻挡晶圆上的器件表面与空气发生反应产生阻挡刻蚀缺陷的聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 金属 硬质 大马士革 一体化 刻蚀 缺陷 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀缺陷生长的方法，其特征在于包括：第一步骤：执行金属硬质掩模大马士革一体化刻蚀处理；第二步骤：清洗掉晶圆表面刻蚀过程中产生的聚合物，清洗产生的化学反应为：N2+CxFy→CN↓+NFx↑N2+H2+CxFy→CN↓+CHFx↑+NFy↑C‑O(CO2/CO)+CxFy→COF↑+CO2↑+CO↑；第三步骤：在晶圆表面沉积一层比较稳定的聚合物，以阻挡晶圆上的器件表面与空气发生反应产生阻挡刻蚀缺陷的聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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