[发明专利]基于耦合传输线的InP HBT压控振荡器

摘要

本发明公开一种基于耦合传输线的InP HBT压控振荡器，包括偏置单元、振荡单元、稳流电阻R1。在振荡单元中引入两条耦合传输线作为压控振荡器的谐振元件，同时实现压控振荡和变压调谐。本发明提出的压控振荡器以耦合传输线取代了直流阻塞电容，解决了交叉耦合结构压控振荡器中由于直流阻塞电容的寄生效应所引起频率退化的问题，提高了振荡频率。本发明在不使用变容管的情况下就能够实现压控振荡调频，且可以得到较宽的调频范围，本发明无变容管的应用，克服了现有技术中因为变容管工艺限制造成的调频范围窄，和版图面积增大的问题。

主权项

1.一种基于耦合传输线的InP HBT压控振荡器，包括偏置单元、振荡单元、稳流电阻R1，其特征在于：所述的偏置单元由两个直流电压源和一个偏置电阻构成，用于提供压控振荡器的偏置电压和调谐电压；偏置单元的第一个输出端与振荡单元的第一个输入端连接，偏置单元的第二个输出端与振荡单元的第二个输入端连接；所述的振荡单元由两个采用InP HBT器件工艺的晶体管和两条耦合传输线构成，用于实现信号放大、回路振荡和信号输出；所述的振荡单元中的第一条耦合传输线CTL1，由两根临近且具有相互耦合作用的传输线TL1和TL2构成，第二条耦合传输线CTL2，由两根临近且具有相互耦合作用的传输线TL3和TL4构成；第一根传输线TL1的输出端与振荡单元中第一个晶体管Q1的集电极连接，第一根传输线TL1的输入端与第四根传输线TL4的输入端连接；第二根传输线TL2的输出端与振荡单元中的第二个晶体管Q2的基极连接，第二根传输线TL2的输入端与第三根传输线TL3的输入端连接；第三根传输线TL3的输出端与第一个晶体管Q1的基极连接，第三根传输线TL3的输入端与偏置单元的偏置电阻R2连接；第四根传输线TL4的输出端与第二个晶体管Q2的集电极连接，第四根传输线TL4的输入端与偏置单元的一个直流电压源Vcc的负极相连；所述的振荡单元的第一个输入端与偏置单元的第一个输出端连接，振荡单元的第二个输入端与偏置单元的第二个输出端连接，振荡单元的第一个晶体管Q1的发射极与第二个晶体管Q2的发射极均与稳流电阻R1的一端相连；所述的稳流电阻R1的另一端接地。