[发明专利]一种减小晶粒度的多晶硅铸锭方法

摘要

本发明公开了一种减小晶粒度的多晶硅铸锭方法，包括以下步骤：一、装料；二、预热；三、熔化；四、熔化后至长晶前处理：401、降温：将多晶硅铸锭炉的加热温度由T2降至T3，并保温15～25min，T2＝1540～1560℃，T3＝1410～1420℃；402、升温：将多晶硅铸锭炉的加热温度由T3升至T4，并保温8～15min，T4＝1435～1445℃；五、长晶：将多晶硅铸锭炉的加热温度控制在T4并进行定向凝固，直至完成长晶过程；六、退火及冷却。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果好，通过增设熔化后至长晶前处理步骤，并对长晶工艺进行调整，能有效减小晶粒度，提高铸锭成品的质量。

主权项

1.一种减小晶粒度的多晶硅铸锭方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、装料：将内装硅料的坩埚(1)装入多晶硅铸锭炉(3)；步骤一中所述多晶硅铸锭炉(3)内设置有气体冷却装置；步骤二、预热：采用多晶硅铸锭炉(3)对装于坩埚(1)内的硅料进行预热，并将多晶硅铸锭炉(3)的加热温度逐步提升至T1；预热时间为4h～6h，其中T1＝1125℃～1285℃；步骤三、熔化：采用多晶硅铸锭炉(3)对装于坩埚(1)内的硅料进行熔化，熔化温度为T1～T2；其中T2＝1540℃～1560℃；步骤四、熔化后至长晶前处理，过程如下：步骤401、降温：将多晶硅铸锭炉(3)的加热温度由T2降至T3，并保温15min～25min；其中T3＝1410℃～1420℃；步骤402、升温：将多晶硅铸锭炉(3)的加热温度由T3升至T4，并保温8min～15min；其中T4＝1435℃～1445℃；步骤五、长晶：将多晶硅铸锭炉(3)的加热温度控制在T4并进行定向凝固，直至完成长晶过程；步骤六、退火及冷却：步骤五中长晶过程完成后，进行退火与冷却，并获得加工成型的所述多晶硅铸锭；步骤六中进行退火及冷却时，过程如下：步骤601、第一次退火：经50min～70min将多晶硅铸锭炉(3)的加热温度降至T5，并保温2h～3h；其中，T5＝1250℃～1280℃；步骤602、第二次退火：经50min～70min将多晶硅铸锭炉(3)的加热温度由T5降至T6，并保温2h～3h；T6＝900℃～950℃；步骤603、冷却：将所加工多晶硅铸锭随炉冷却至室温，获得加工成型的所述多晶硅铸锭。