[发明专利]一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法有效
| 申请号： | 201610695374.9 | 申请日： | 2016-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN106315570B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 于乐泳;冯双龙;胡云;孙泰;杨俊;魏大鹏;史浩飞;杜春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | C01B32/186 | 分类号： | C01B32/186 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法，属于电子生产技术和柔性器件制备领域，该方法步骤包括：(1)制作掩模板图形；(2)固定掩模板和生长基底：(3)低温生长三维石墨烯；通过该方法可制备任意形状的三维石墨烯。该方法步骤简单、高效、成本低、环保，且无需进行加热处理，适用于图形化三维石墨烯的产业化生产，同时也可应用于其他二维三维材料的图形化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 快速 生长 各种 类型 图形 三维 石墨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)制作掩模板图形：选用高熔点金属板作为掩模板基材，利用机械加工技术或微纳米加工技术在掩模板上制作掩模板图形，掩模板图形可为任意形状；(2)固定掩模板和生长基底：将图形化后的掩模板覆盖于生长基底上，并将两者固定；(3)低温生长三维石墨烯：将固定后的掩模板和生长基底一同放置于微波CVD真空腔内，通入氢气，氢气流速为30‑100sccm，再利用氩气载入碳源，氩气流速为100sccm，然后打开微波源，微波功率为0.5kw‑5kw，压强为10mbar‑100mbar，无需加热，最后开始沉积三维石墨烯，生长时间为2‑30分钟。
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