[发明专利]一种阶梯结构陶瓷环有效
| 申请号： | 201610695640.8 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106298625B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 范川;柴智;方仕彩 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/687 | 分类号： | H01L21/687 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 甄玉荃 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种阶梯结构陶瓷环，用以承托一晶圆之陶瓷环，包含：一本体；及一环形凹部，设于该本体中央，且该环形凹部具有一底面及由底面向上延伸至本体表面的一缓冲部。该陶瓷环可确保晶圆定位的可靠性，同时又能避免晶圆的侧边与陶瓷环接触而产生颗粒物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阶梯 结构 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种阶梯结构陶瓷环，其特征在于，用以承托一晶圆之陶瓷环，包含：一本体；及一环形凹部，设于该本体中央，且该环形凹部具有一底面及由底面向上延伸至本体表面的一缓冲部；其中该晶圆具有一底边及一侧边，该底边及该侧边之间具有一斜边，该斜边与该侧边之连接处呈一圆弧面，该斜边与该底边之延伸平面呈一晶圆斜边角度；其中该陶瓷环之该缓冲部具有一第一斜面及一第二斜面，该底面连接该第一斜面，该第一斜面连接该第二斜面，该第二斜面连接该本体表面，该第一斜面与该底面之延伸平面呈一第一斜面角度，该第二斜面之延伸平面与该底面之延伸平面呈一第二斜面角度；其中该第一斜面角度小于该晶圆斜边角度，该晶圆斜边角度小于该第二斜面角度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
