[发明专利]一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法，包括步骤：一、熔化及排杂，过程如下：101、熔化：采用多晶硅铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行熔化，并向多晶硅铸锭炉内充入惰性气体进行保压；102、降压排杂；103、熔化后期排杂：先将多晶硅铸锭炉的气压进行升压，再对硅料继续熔化，并通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.8≤c＜1，c为多晶硅铸锭炉的顶侧比系数；二、长晶及同步排杂：通过调整顶部加热器和/或四个侧部加热器的加热功率使0.3≤c＜0.9。本发明方法步骤简单、设计合理且实现简便、使用效果，通过熔料后期同步排杂、降压排杂与长晶过程同步排杂有效减少铸锭成品的硬质点，能有效提高铸锭成品的质量。

主权项

1.一种多晶硅半熔铸锭用排杂方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、熔化及排杂，过程如下：步骤101、熔化：将多晶硅铸锭炉(3)内位于坩埚(1)上方的顶部加热器(2)和四个分别布设在坩埚(1)的四个侧壁外侧的侧部加热器(4)均开启后，按照常规的多晶硅半熔铸锭法，采用多晶硅铸锭炉(3)对装于坩埚(1)内的硅料进行熔化，熔化温度为T1～T2；其中，T1＝1125℃～1285℃，T2＝1530℃～1550℃；步骤101中进行熔化过程中，向多晶硅铸锭炉(3)内充入惰性气体并将多晶硅铸锭炉(3)内气压保持在Q1，其中Q1＝550mbar～650mbar；步骤102、降压排杂，过程如下：步骤1021、降压：将多晶硅铸锭炉(3)的加热温度控制在T2，并将多晶硅铸锭炉(3)的气压由Q1降至Q2，降压时间为8min～12min；其中，Q2＝350mbar～450mbar；步骤1022、保压：将多晶硅铸锭炉(3)的加热温度控制在T2，并将多晶硅铸锭炉(3)内气压保持在Q2，保压时间为10min～60min；步骤103、熔化后期排杂：先将多晶硅铸锭炉(3)的气压由Q2升至Q1，再采用多晶硅铸锭炉(3)对装于坩埚(1)内的硅料继续熔化，继续熔化时间为15min～40min；继续熔化过程中，通过调整顶部加热器(2)和/或四个所述侧部加热器(4)的加热功率，使0.8≤c＜1，并使多晶硅铸锭炉(3)的加热温度从T2逐步降至T3；其中，T3为多晶硅结晶温度且T3＝1420℃～1440℃；其中，c为多晶硅铸锭炉(3)的顶侧比系数且c_ding为顶部加热器(2)的功率比系数且P_d为顶部加热器(2)的实际加热功率，P_dmax为顶部加热器(2)的最大加热功率；P_c为侧部加热器(4)的实际加热功率，P_cmax为侧部加热器(4)的最大加热功率；P_dmax＜P_cmax；步骤二、长晶及同步排杂：步骤一中熔化及排杂完成后，开始进行定向凝固并进入长晶过程；长晶过程中，通过调整顶部加热器(2)和/或四个所述侧部加热器(4)的加热功率，使0.3≤c＜0.9；步骤二中进行长晶及同步排杂过程中，长晶速率控制在10mm/h～13mm/h。