[发明专利]一种新型晶体硅太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型晶体硅太阳能电池及其制备方法，包括衬底、多晶硅薄膜，衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层，钝化层表面设有氧化硅薄膜，氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极；上电极与多晶硅薄膜之间设有P型硅基体层，多晶硅薄膜上设有P‑n结，衬底设置在背面AI电极上；所述背面AI电极与衬底之间设有背面ZnO基薄膜层，P型硅基体层与多晶硅薄膜之间设有正面ZnO基薄膜层，所述正面ZnO基薄膜层、背面ZnO基薄膜层均为ZnO、ZnMgO或ZnCaO薄膜，所述背面AI电极为线状电极，所述背面ZnO基薄膜层的厚度为45—100纳米，所述正面ZnO基薄膜层的厚度为30—100纳米。所述新型晶体硅太阳能电池制备方法简单，便于操作。

主权项

一种新型晶体硅太阳能电池，其特征在于，包括衬底（2）、多晶硅薄膜（6），衬底（2）与多晶硅薄膜（6）之间设有钝化层（3），钝化层（3）表面设有氧化硅薄膜（4），氧化硅薄膜（4）与多晶硅薄膜（6）之间设有上电极（5）；上电极（5）与多晶硅薄膜（6）之间设有P型硅基体层（8），多晶硅薄膜（6）上设有P‑n结，衬底（2）设置在背面AI电极（1）上；所述背面AI电极（1）与衬底（2）之间设有背面ZnO基薄膜层（7），P型硅基体层（8）与多晶硅薄膜（6）之间设有正面ZnO基薄膜层（9），所述正面ZnO基薄膜层（9）、背面ZnO基薄膜层（7）均为ZnO、ZnMgO或ZnCaO薄膜，所述背面AI电极为线状电极，所述背面ZnO基薄膜层（7）的厚度为45—100纳米，所述正面ZnO基薄膜层（9）的厚度为30—100纳米。