[发明专利]一种半导体结构以其制作方法有效
| 申请号： | 201610696625.5 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106449729B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王俊;李宗鉴;江希 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：第一掺杂浓度的P+区、第二掺杂浓度的N+区以及设置在P+区和N+区之间的具有第三掺杂浓度的漂移区；其中，第一掺杂浓度和第二掺杂浓度均高于第三掺杂浓度；所述漂移区包括至少两层高寿命复合层和至少一层低寿命复合层，每层低寿命复合层上下分别紧邻一层高寿命复合层；其中，高寿命复合层中载流子的寿命高于低寿命复合层中载流子的寿命，本发明提供的半导体结构能够提高反向恢复速度，减小关断损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 以其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：第一掺杂浓度的P+区、第二掺杂浓度的N+区以及设置在P+区和N+区之间的具有第三掺杂浓度的漂移区；其中，第一掺杂浓度和第二掺杂浓度均高于第三掺杂浓度；所述漂移区包括至少三层高寿命复合层和至少两层低寿命复合层，每层低寿命复合层上下分别紧邻一层高寿命复合层；其中，高寿命复合层中载流子的寿命高于低寿命复合层中载流子的寿命；其中，从靠近P+区至远离P+区的方向上，各个低寿命复合层中载流子的寿命依次递增。
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