[发明专利]一种曝光方法、基板及曝光装置有效
申请号: | 201610696721.X | 申请日: | 2016-08-19 |
公开(公告)号: | CN106125516B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 李晓光;肖宇;薛超;汪栋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种曝光方法、基板及曝光装置,用以解决目前基板制作过程中,使用的掩膜板成本较高,如何简化膜层图形的制作,并降低膜层图形的制作成本的问题。该曝光方法包括:将至少两个掩膜版拼接成掩膜版组合,通过掩膜版组合对衬底基板上的待曝光膜层进行曝光,直到在待曝光膜层上形成完整的待曝光图形。由于本发明使用了至少两个掩膜版,因而可以使用掩膜版组合通过一次曝光形成一个掩膜版难以形成的图形,进而简化了膜层图形的制作;同时,由于每个掩膜版可以制作成不同的图形,因而可以根据需要将两个掩膜版分别复用到其它不同图形的产品中,进而降低膜层图形的制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 曝光 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种曝光方法,其特征在于,包括:将至少两个掩膜版拼接成掩膜版组合;在通过所述掩膜版组合中的第一掩膜版对衬底基板上第一区域对应的待曝光膜层进行曝光的同时,通过所述掩膜版组合中的第二掩膜版对衬底基板上第二区域对应的待曝光膜层进行曝光,直到在所述待曝光膜层上形成完整的待曝光图形;其中,所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠;或,所述第一掩膜版和所述第二掩膜版在所述衬底基板上的正投影互不重叠;所述待曝光膜层的材料为正性光刻胶材料时,所述待曝光图形采用与所述掩膜版组合中所有掩膜版叠加后的图形互补的图形;所述待曝光膜层的材料为负性光刻胶材料时,所述待曝光图形采用所述掩膜版组合中所有掩膜版叠加后的图形。
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