[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610697938.2 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106549061A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 汪柏澍;陈建茂 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括具有由多个隔离部件限定的有源区域的半导体衬底；在整个有源区域上方延伸并且延伸至隔离部件的一部分上的栅极堆叠件，其中栅极堆叠件包括位于有源区域上并且位于隔离部件的一部分上的栅极介电层、和位于栅极介电层上的栅电极；以及包括对栅极堆叠件的侧壁加衬的垂直部分和延伸至隔离部件的顶部表面上的水平部分的保护性密封件，其中在顶视图中，水平部分围绕栅极堆叠件的位于有源区域外部的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有由多个隔离部件限定的有源区域；栅极堆叠件，在整个所述有源区域上方延伸并且延伸至所述隔离部件的一部分上，其中，所述栅极堆叠件包括位于所述有源区域上并且位于所述隔离部件的所述部分上的栅极介电层、和位于所述栅极介电层上的栅电极；以及保护性密封件，包括对所述栅极堆叠件的侧壁加衬的垂直部分和延伸至所述隔离部件的顶部表面上的水平部分，其中，从上往下看，所述水平部分围绕所述栅极堆叠件的位于所述有源区域外部的部分。
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