[发明专利]复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法有效
| 申请号： | 201610698678.0 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106206896B | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈功;许圣贤;林素慧;彭康伟;洪灵愿;张家宏;刘传桂 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种复合图形化蓝宝石衬底及其外延片的制作方法，包括：先制作图形化蓝宝石衬底，再藉由金属Ni作为掩膜层，进行感应耦合等离子体蚀刻，从而在图形化蓝宝石衬底的凸起结构上形成微图形，而底部C面区域平整。其形成的复合图形化蓝宝石衬底，有效地增加了图案表面积，使得反光区域增大，出光效率增高。同时底部C面区域平整，减小了外延生长的难度，外延生长表面外观较好，减少了外延层的内部缺陷，从而降低蓝宝石衬底上外延材料的穿透位错密度，提升外延层质量，有利于半导体元件的光提取。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 图形 蓝宝石 衬底 及其 外延 制作方法 | ||
【主权项】：
1.复合图形化蓝宝石衬底的制作方法，包括步骤：（1）提供一平整蓝宝石衬底，其具有第一表面和第二表面，在部分第一表面上制作一系列凸起结构，从而形成底部为C面区域的图形化蓝宝石衬底；（2）在所述图形化蓝宝石衬底沉积金属Ni层；（3）将沉积完金属Ni层的图形化蓝宝石衬底进行退火处理，藉由金属Ni层在图形化蓝宝石衬底的凸起结构与底部C面区域的团聚速率不同，使得金属Ni层在图形化蓝宝石衬底的凸起结构上呈现颗粒状分布，而在底部C面区域金属Ni层基本保持原状，即铺满底部C面区域；（4）以所述金属Ni颗粒及金属Ni层作为掩膜层，进行感应耦合等离子体蚀刻，从而在图形化蓝宝石衬底的凸起结构上形成微图形，而底部C面区域平整；（5）去除残余的金属Ni，制得复合图形化蓝宝石衬底。
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