[发明专利]一种制备单层1T相二硫化钼/微纳米碳复合材料的方法

摘要

本发明公开了一种制备单层1T相二硫化钼/微纳米碳复合材料的方法，具体过程为：以硫代钼酸铵和锂盐化合物为原料，通过简单的温度控制可以合成为插锂的1T相硫化钼块体，插锂的1T相硫化钼块体可以在水中水解自行剥离成单层1T相MoS2纳米片，再与微纳米碳自组装形成单层1T相二硫化钼/微纳米碳复合材料。本发明工艺操作简单，反应条件温和，所用试剂价格低廉，绿色环保。

主权项

1.一种制备单层1T相二硫化钼/微纳米碳复合材料的方法，其特征在于具体步骤为：（1）将硫代钼酸铵和锂盐化合物按1:2摩尔比混合研磨，研磨后的混合物在惰性气体保护下于800‑1200℃保温1‑10h，冷却至室温得到插锂的1T相硫化钼块体；（2）将插锂的1T相硫化钼块体直接置于去离子水中，辅助超声水解剥离5‑30min，再将得到的悬浮液置于离心机中，经离心分离去除未剥离的沉淀物后得到单层1T相MoS2纳米片悬浮液；（3）将微纳米碳加入到单层1T相MoS2纳米片悬浮液中得到混合悬浮液，再加入十六烷基三甲基溴化铵，其中十六烷基三甲基溴化铵的质量与混合悬浮液的体积比为1g:18‑180mL，超声分散10‑30min，得到单层1T相MoS2/微纳米碳悬浮液；（4）将得到的单层1T相MoS2/微纳米碳悬浮液在离心机上分别用水和乙醇离心洗涤去除可溶性杂质，最后将沉淀物单层1T相二硫化钼/微纳米碳复合材料分散于小分子溶剂中保存，其中单层1T相MoS2纳米片的厚度小于1nm。