[发明专利]用于改善的多晶硅生长的二氯硅烷补偿控制策略有效
| 申请号： | 201610701107.8 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106477582B | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 约翰·维克托·布奇;马克·理查德·斯塔乔维克;查尔斯·艾伦·斯蒂比茨 | 申请（专利权）人： | 赫姆洛克半导体运营有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;郑霞 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善反应器中的多晶硅生长的方法，所述方法包括：将包含三氯硅烷和二氯硅烷的氯硅烷进料组合物引入到沉积室中，其中所述沉积室包含基材；将所述氯硅烷进料组合物与氢气共混以形成进料组合物；调整进入到所述沉积室中的氯硅烷和氢气的基线流，以实现预定的总流量和预定的氯硅烷进料组合物设定点；将压力施加到所述沉积室并且将能量施加到所述沉积室中的所述基材以形成多晶硅；测量存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的量并且从存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的目标值确定偏移值；通过与所述二氯硅烷偏移值成反比的量调整所述氯硅烷进料组合物设定点；以及将所述所形成的多晶硅沉积到所述基材上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 多晶 生长 硅烷 补偿 控制 策略 | ||
【主权项】：
一种改善反应器中的多晶硅生长的方法，包括将包含三氯硅烷和二氯硅烷的氯硅烷进料组合物引入到沉积室中，其中所述沉积室包含基材；将所述氯硅烷进料组合物与氢气共混以形成进料组合物；调整进入到所述沉积室中的氯硅烷和氢气的基线流，以实现预定的总流量和预定的氯硅烷进料组合物设定点；将压力施加到所述沉积室并且将能量施加到所述沉积室中的所述基材以形成多晶硅；测量存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的量；通过与存在于所述氯硅烷进料组合物中的二氯硅烷的所述量成反比的量调整所述氯硅烷进料组合物设定点；以及将所述所形成的多晶硅沉积到所述基材上。
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