[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶面板有效

专利信息
申请号: 201610701193.2 申请日: 2016-08-22
公开(公告)号: CN106054472B 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 张占东 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1345 分类号: G02F1/1345;G02F1/1343
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;武岑飞
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板,包括基板、在基板上的显示部以及由显示部的边沿延伸的非显示部,非显示部包括:在基板上的复合金属层;在复合金属层上的平坦层;在平坦层中将部分复合金属层暴露的第一通孔;在平坦层上的公共电极层;覆盖公共电极层以及暴露的复合金属层的钝化层;在钝化层中的第二通孔和第三通孔,第二通孔将部分复合金属层暴露,第三通孔将部分公共电极层暴露;在钝化层上的电连接层,电连接层分别填充第二通孔和第三通孔,以分别与复合金属层和公共电极层接触。由于在钝化层的制作过程中,可将钝化层接触的复合金属层表面形成的金属氧化物去除,从而改善复合金属层和公共电极层的接触状况,进而提升产品品质。
搜索关键词: 低温 多晶 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 液晶面板
【主权项】:
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板,包括:基板、设置在所述基板上的显示部以及由所述显示部的边沿延伸的非显示部,所述显示部包括阵列排布的多个低温多晶硅薄膜晶体管,其特征在于,所述非显示部包括:在基板上的复合金属层;在所述复合金属层上的平坦层;在所述平坦层中的第一通孔,所述第一通孔将部分复合金属层暴露;在所述平坦层上的公共电极层;覆盖所述公共电极层以及暴露的复合金属层的钝化层;在所述钝化层中的第二通孔和第三通孔,所述第二通孔将部分复合金属层暴露,所述第三通孔将部分公共电极层暴露;在所述钝化层上的电连接层,所述电连接层分别填充所述第二通孔和所述第三通孔,以分别与暴露的复合金属层和暴露的公共电极层接触。
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