[发明专利]发光二极管及制造该发光二极管的方法

摘要

本发明公开发光二极管及制造该发光二极管的方法。该发光二极管包含：第一导电型半导体层；多个台面，在所述第一导电型半导体层上相隔而布置，且分别包含活性层及第二导电型半导体层；反射电极，位于各个所述多个台面上，且欧姆连接于第二导电型半导体层；电流分散层，覆盖所述多个台面及所述第一导电型半导体层，且与所述台面电绝缘，且在各个所述台面的上部区域内包含暴露所述反射电极的第一开口部，并欧姆接触于所述第一导电型半导体层。据此，可提供改善了电流分散性能的发光二极管。

主权项

1.一种发光二极管，包含：基板，第一半导体层，布置于所述基板上；台面，包括：活性层，布置于所述第一半导体层上；第二半导体层，布置于所述活性层上，具有与所述第一半导体层不同的导电类型；反射图案，布置于所述第二半导体层上，用于反射从所述活性层发射的光，所述反射图案包括多个金属层，并用于吸收多个金属层之间的不同的热膨胀系数引起的应力；绝缘层，布置于所述反射图案上，具有暴露所述第一半导体层的第一开口部，所述第一开口部具有沿着所述台面延伸的方向伸长的形状或者形成为孔的形态而沿着所述台面延伸的方向排列有多个；电流分散层，布置于所述绝缘层上，具有暴露所述反射图案的第二开口部，并通过所述第一开口部欧姆接触于所述第一半导体层，所述活性层及所述第二半导体层的侧面具有相对于所述第一半导体层的表面的20度至70度的倾斜，所述第二开口部被布置在相邻的所述第一开口部之间。