[发明专利]发光二极管及制造该发光二极管的方法

摘要

本发明公开发光二极管及制造该发光二极管的方法。该发光二极管包含：第一导电型半导体层；多个台面，在所述第一导电型半导体层上相隔而布置，且分别包含活性层及第二导电型半导体层；反射电极，位于各个所述多个台面上，且欧姆连接于第二导电型半导体层；电流分散层，覆盖所述多个台面及所述第一导电型半导体层，且与所述台面电绝缘，且在各个所述台面的上部区域内包含暴露所述反射电极的第一开口部，并欧姆接触于所述第一导电型半导体层。据此，可提供改善了电流分散性能的发光二极管。

主权项

1.一种发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，在所述第一导电型半导体层上彼此相隔而布置，且分别包括活性层及第二导电型半导体层；反射电极，位于所述台面上，且欧姆接触于第二导电型半导体层；电流分散层，覆盖所述台面及所述第一导电型半导体层，位于所述台面上部区域内并与所述台面电绝缘，且包括暴露所述反射电极的第一开口部，并欧姆接触于所述第一导电型半导体层，下部绝缘层，位于所述台面与所述电流分散层之间，并使所述电流分散层与所述台面绝缘，并包括位于所述台面上部区域内，并使所述反射电极暴露的第二开口部；上部绝缘层，覆盖所述电流分散层的至少一部分，并具有使所述反射电极暴露的第三开口部；第二衬垫，位于所述上部绝缘层上，并连接到通过所述上部绝缘层的第三开口部而暴露的反射电极；第一衬垫，与所述电流分散层连接，其中，所述下部绝缘层具有暴露所述第一导电型半导体层的第四开口部，所述第四开口部具有沿着所述台面延伸的方向伸长的形状，所述第一开口部被布置在相邻的所述第四开口部之间。