[发明专利]用于高电子迁移率晶体管的表面处理和钝化有效
| 申请号： | 201610702372.8 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106571297B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 邱汉钦;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)及其形成方法。该方法包括外延生长第一III‑V族化合物层、以及在第一III‑V族化合物层上方外延生长第二III‑V族化合物层，其中，在第二III‑V族化合物层上形成第一自然氧化物层。该方法还包括利用第一气体原位处理第一自然氧化物层，从而将第一自然氧化物层转化为第一晶体氧化物层。该方法还包括在第一晶体氧化物层上方形成第一晶体界面层，以及在第一晶体界面层上方形成介电钝化层。本发明实施例涉及形成高电子迁移率晶体管及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电子 迁移率 晶体管 表面 处理 钝化 | ||
【主权项】：
1.一种形成高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法，所述方法包括：/n外延生长第一III-V族化合物层；/n在所述第一III-V族化合物层上方外延生长第二III-V族化合物层，其中，在所述第二III-V族化合物层上形成第一自然氧化物层；/n利用第一气体原位处理所述第一自然氧化物层，从而将所述第一自然氧化物层转化为第一晶体氧化物层；/n在所述第一晶体氧化层上方形成第一晶体界面层；以及/n在所述第一晶体界面层上方形成介电钝化层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
