[发明专利]防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法有效
| 申请号： | 201610703032.7 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106252213B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张召;王智;苏俊铭;倪立华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底为含有第一种离子的重掺杂硅衬底；对硅衬底边缘区域进行第二种离子注入，以在硅衬底边缘区域形成防止硅衬底边缘的重掺杂离子析出的阻挡层；其中，第一种离子和第二种离子不相同。本发明通过对硅衬底边缘进行离子注入，从而形成防止硅衬底边缘重掺杂离子析出的阻挡层，有效避免了硅衬底边缘离子扩散析出，确保了后续工艺质量。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 掺杂 衬底 边缘 离子 析出 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法，其特征在于，包括：步骤01：提供一硅衬底，所述硅衬底为含有第一种离子的重掺杂硅衬底；步骤02：对硅衬底边缘区域进行第二种离子注入，以在硅衬底边缘区域形成防止硅衬底边缘的重掺杂离子析出的阻挡结构；其中，第一种离子和第二种离子不相同,所述阻挡结构形成之前或者之后，在硅衬底背面沉积低温氧化物薄膜，所述硅衬底边缘区域为所述硅衬底边缘向外凸出的区域且不与低温氧化物薄膜重叠。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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