[发明专利]一种光刻工艺优化方法

摘要

本发明提供了光刻工艺优化方法，包括：选取特征数据；从特征数据中选择待优化的参数，生成相应的OPC模型；分别在不同的聚焦条件、在不同的能量条件以及在聚焦条件和能量条件不变的情况下，分别采用OPC模型对所选取的特征数据进行模拟，分别得到各个光学工艺参数条件下的所选取的特征数据的模拟值，根据该模拟值分别计算所选择的待优化的参数下的工艺窗口的焦深、能量容忍度和掩膜图形误差提高因子，分析该焦深、该能量容忍度和该掩膜图形误差提高因子是否满足工艺窗口的设计要求；确定待优化的参数的最佳模拟值；确定待优化的参数的最佳模拟值；重复上述过程对其它待优化的参数进行模拟并确定相应的最佳模拟值。

主权项

1.一种光刻工艺优化方法，其特征在于，包括：/n步骤01：选取特征数据；所述特征数据包括不同种类图形的尺寸、形状及其之间的距离，以及相同种类图形的尺寸、形状及其之间的距离；/n步骤02：从特征数据中选择待优化的参数，使其发生变化来生成相应的OPC模型；/n步骤03：在不同的聚焦条件下，采用OPC模型对所选取的特征数据进行模拟，分别得到各个光学工艺参数条件下的所选取的特征数据的模拟值，根据该模拟值计算所选择的待优化的参数下的工艺窗口的焦深，分析该焦深是否满足工艺窗口的设计要求；/n在不同的能量条件下，采用OPC模型对所选取的特征数据进行模拟，分别得到各个光学工艺参数条件下所选取的特征数据的模拟值，根据该模拟值计算所选择的待优化的参数下的工艺窗口的能量容忍度，分析该能量容忍度是否满足工艺窗口的设计要求；/n在特定的聚焦条件下和能量条件下，采用OPC模型对所选取的特征数据进行模拟得到各个光学工艺参数条件下所选取的特征数据的模拟值，根据该模拟值计算所选择的待优化的参数下的工艺窗口的掩膜图形误差提高因子，分析该掩膜图形误差提高因子是否满足工艺窗口的设计要求；/n步骤04：对步骤03得到的焦深、能量容忍度和掩膜图形误差提高因子进行分析，确定待优化的参数的最佳模拟值；/n步骤05：重复步骤01-04，对其它待优化的参数进行模拟并确定相应的最佳模拟值。/n