[发明专利]一种超低衰减弯曲不敏感单模光纤在审
| 申请号： | 201610703044.X | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106443875A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 朱继红;汪洪海;张磊;吴俊;王瑞春 | 申请（专利权）人： | 长飞光纤光缆股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 胡建平 |
| 地址： | 430073 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种超低衰减弯曲不敏感单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.0～3.9μm，Δn1为‑0.04％～0.12％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，内包层半径r2为3.5～14μm，Δn2为‑0.35％～‑0.10％；下陷内包层半径r3为10～20μm，Δn3为‑0.6％～‑0.2％，外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4为‑0.4％～‑0.2％，光纤最外层直径为125μm。本发明合理的设计了光纤芯包层剖面结构和光纤内部的粘度匹配，降低了光纤的衰减参数；光纤剖面采用多层阶梯状下陷包层结构，具有较宽的下陷包层结构用于限制基模泄露，对光纤的弯曲损耗具有较好的改进作用；最外层的外包层结构采用了全掺杂氟的二氧化硅材料设计，有利于简化光纤的剖面设计，易于生产控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衰减 弯曲 敏感 单模 光纤 | ||
【主权项】：
一种超低衰减弯曲不敏感单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3.0～3.9μm，芯层相对折射率Δn1为‑0.04％～0.12％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为3.5～14μm，相对折射率Δn2为‑0.35％～‑0.10％；所述的下陷内包层半径r3为10～20μm，相对折射率Δn3为‑0.6％～‑0.2％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4为‑0.4％～‑0.2％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长飞光纤光缆股份有限公司，未经长飞光纤光缆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610703044.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：应力通道优化、应力施加增强型细径熊猫保偏光纤
- 下一篇：一种低串扰少模光纤
