[发明专利]一种纳米抛光液的制备方法有效
申请号: | 201610703064.7 | 申请日: | 2016-08-22 |
公开(公告)号: | CN106349948B | 公开(公告)日: | 2018-09-21 |
发明(设计)人: | 邓丽荣;王晓刚 | 申请(专利权)人: | 西安博尔新材料有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710089 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种纳米抛光液的制备方法,包括以下步骤:一、将碳化硅微粉与水以及分散剂按质量比混合均匀,得到混合料,然后将所述混合料置于砂磨机中循环粉碎,直至混合料中固体物料的粒径为纳米级,得到纳米碳化硅浆料;二、加水稀释,得到纳米碳化硅悬浮液;三、加入螯合剂、润滑剂、防腐剂和pH调节剂,搅拌均匀后得到纳米抛光液。采用本发明所制备的纳米抛光液为水性,具有绿色环保、抛光散热快、稀释能力强、成本低等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 抛光 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种纳米抛光液的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:步骤一、将碳化硅微粉、水和分散剂按质量比(0.2~0.3)∶1∶(0.03~0.08)混合均匀,得到混合料,然后将所述混合料置于砂磨机中循环粉碎,直至混合料中固体物料的粒径为纳米级,得到纳米碳化硅浆料,所述碳化硅微粉的粒径不大于1.5μm;步骤二、向步骤一中所述纳米碳化硅浆料中加水稀释,搅拌均匀后得到纳米碳化硅悬浮液;所加入的水的体积为纳米碳化硅浆料体积的1~20倍;步骤三、向步骤二中所述纳米碳化硅悬浮液中加入螯合剂、润滑剂、防腐剂和pH调节剂,搅拌均匀后得到纳米抛光液;所述纳米抛光液中螯合剂的质量百分含量为0.01%~1%,润滑剂的质量百分含量为0.5%~2%,防腐剂的质量百分含量为0.03%~1%,pH调节剂的质量百分含量为0.5%~3%;步骤一中所述循环粉碎的具体工艺参数为:研磨介质球为经整形后的粒径为0.1mm~0.5mm的立方碳化硅晶体,研磨介质球的体积为砂磨机中粉碎腔总体积的60%~80%,循环粉碎的速率为500r/min~1000r/min,循环粉碎的时间为10d~30d;步骤一中所述分散剂为四甲基氢氧化铵、聚乙二醇6000、聚丙烯酸铵和六偏磷酸钠中的任意一种或两种以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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