[发明专利]一种改善晶片边缘缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种改善晶片边缘缺陷的方法，包括提供晶片并在所述晶片上涂覆负性的第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行第一次晶片边缘曝光工艺以在晶片上形成仅覆盖晶片边缘第一宽度的环形的第一光刻胶层；在晶片及环形的第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行曝光宽度为第二宽度的第二次晶片边缘曝光工艺。本发明能够解决晶片边缘曝光工艺后光刻胶的光刻胶形貌在过渡性斜坡位置厚度均匀性不一导致刻蚀缺陷的问题。

主权项

一种改善晶片边缘缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供晶片并在所述晶片上涂覆第一光刻胶层，所述第一光刻胶层为负性光刻胶层；S2：对所述第一光刻胶层进行第一次晶片边缘曝光工艺，所述第一次晶片边缘曝光工艺的曝光宽度为第一宽度以在所述晶片上形成仅覆盖晶片边缘第一宽度的环形的第一光刻胶层；S3：在所述晶片及环形的第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层；S4：对所述第二光刻胶层进行第二次晶片边缘曝光工艺，所述第二次晶片边缘曝光工艺的曝光宽度为第二宽度。