[发明专利]一种带空腔的氮化铟复合衬底及其制备方法在审
| 申请号： | 201610703778.8 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107768464A | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 董思言 | 申请（专利权）人： | 董思言 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带空腔的氮化铟复合衬底，包括单晶硅衬底与氮化铟膜层，氮化铟膜层包括250~300nm的氮化铟缓冲层、2~4µm的氮化铟外延层、15~25µm的氮化铟厚膜层，氮化铟膜层形成有空腔。本发明中氮化铟复合衬底的空腔使得该氮化铟复合衬底在作为后续晶体生长过程中作为应力释放层，同时，降低了晶体的位错密度，使其容易获取低应力、低缺陷密度的高质量晶体。本发明还公开了一种带空腔的氮化铟复合衬底的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 空腔 氮化 复合 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种带空腔的氮化铟复合衬底，其特征在于，包括单晶硅衬底和氮化铟膜层，所述氮化铟膜层包括250~300nm的氮化铟缓冲层、2~4µm的氮化铟外延层和15~25µm的氮化铟厚膜层，所述氮化铟膜层形成有空腔。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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