[发明专利]一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件在审
| 申请号： | 201610704091.6 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106098572A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 何延强;吴迪;刘钺杨;和峰;徐哲;金锐;温家良;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网河北省电力公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，所述方法包括通过丝网印刷在高压半导体功率器件上涂覆聚酰亚胺胶；对聚酰亚胺胶进行前烘和固化形成聚酰亚胺保护层；高压半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比，本发明提供的一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件，不仅提高了半导体功率器件钝化层制造的工作效率并降低了工作成本，还提高了高压半导体功率器件的工作稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 钝化 制造 方法 高压 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种钝化层制造方法，其特征在于，所述方法包括：通过丝网印刷在高压半导体功率器件上涂覆聚酰亚胺胶；对所述聚酰亚胺胶进行前烘和固化形成聚酰亚胺保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
