[发明专利]一种在接触孔中制备薄膜的方法有效
| 申请号： | 201610704710.1 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106684034B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 蔡俊晟;孔祥涛;韩晓刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在接触孔中制备薄膜的方法，在具有接触孔以及位于接触孔底部的金属硅化物和硅区的衬底上进行，包括：采用除气工艺去除衬底表面和接触孔表面的水汽；采用预清洗工艺清洗衬底表面和接触孔表面；在第一温度下在接触孔底部和顶部表面形成Ti层；在第二温度下在Ti层表面和接触孔侧壁形成TiN层；在第三温度下采用除气工艺促进Ti层和位于Ti层底部的硅区的Si的反应生成钛硅化物；其中，第三温度与第一温度、第二温度不相同。本发明在接触孔底部沉积了Ti层之后，利用除气工艺来促进Ti与Si层的充分反应形成钛硅化物(Ti‑Silicide)，从而使得沉积于接触孔底部的硅层的Ti层能够与该硅层形成良好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在接触孔中制备薄膜的方法，在具有接触孔以及位于接触孔底部的金属硅化物和硅区的衬底上进行，其特征在于，包括：步骤01：采用除气工艺去除衬底表面和接触孔表面的水汽；步骤02：采用预清洗工艺清洗衬底表面和接触孔表面；步骤03：在第一温度下采用气相沉积法在接触孔底部、侧壁和顶部沉积Ti层，然后，图案化Ti层，去除接触孔侧壁和顶部的Ti层，保留接触孔底部的Ti层；步骤04：在第二温度下在Ti层表面和接触孔侧壁形成TiN层；步骤05：在第三温度下采用除气工艺促进Ti层和位于Ti层底部的硅区的Si的反应生成钛硅化物；其中，所述第三温度与所述第一温度、所述第二温度不相同。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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