[发明专利]改善有源区边界处的栅极拐角的方法

摘要

本发明提供了一种改善有源区边界处的栅极拐角的方法，包括：判断栅极区和有源区的交接处是否存在拐角，判断非栅极区的多晶硅与有源区的平行距离是否在所设定的安全范围内；判断非栅极区的多晶硅尺寸是否在所设定的设计规则数值范围之内或小于所设定的设计规则数值范围；选择非栅极区的多晶硅图形为需修正的第二图形；判断需修正的第二图形的远离栅极区的边界到与该边界最近的图形边界的距离是否在所设定的修正空间之内；将需修正的第二图形的远离栅极区的边界向远离栅极区的方向移动；引入控制栅极区边缘圆弧外倾的修正过程，对需修正的第一图形、或者需修正的第一图形和第二图形进行修正；对修正后的图形进行模拟验证。

主权项

1.一种改善有源区边界处的栅极拐角的方法，针对具有有源区和多晶硅的图形进行修正，其中有源区和多晶硅的重叠区域为栅极区，其特征在于，包括：步骤01：判断栅极区和有源区的交接处是否存在拐角，并且判断位于所述拐角一端且位于非栅极区的多晶硅与有源区的平行距离是否在所设定的安全范围内；如果两者均为是，则选取该拐角为需修正的第一图形，执行步骤02；如果有一个为否，则停止修正；步骤02：判断位于所述拐角一端且位于非栅极区的多晶硅尺寸是否在所设定的设计规则数值范围之内或小于所设定的设计规则数值范围；如果是，则执行步骤03；如果为否，则执行步骤06；步骤03：选择位于所述拐角一端且位于非栅极区的多晶硅图形为需修正的第二图形；步骤04：判断需修正的第二图形的远离栅极区的边界到与该边界最近的图形边界的距离是否在所设定的修正空间之内；如果是，则执行步骤05；如果否，则停止修正；步骤05：将需修正的第二图形的远离栅极区的边界向远离栅极区的方向移动，所移动的距离由位于所述拐角一端且位于非栅极区的多晶硅与有源区的平行距离来决定；步骤06：引入控制栅极区边缘圆弧外倾的修正过程，对需修正的第一图形、或者需修正的第一图形和第二图形进行修正；步骤07：对修正后的图形进行模拟验证。