[发明专利]一种非易失存储器结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种非易失存储器结构及其制作方法，包括建立在同一半导体基底上的存储区和外围电路区，外围电路区上从下往上依次覆盖有第一、第二层间介质，存储区上覆盖有第二层间介质，存储区的第二层间介质与外围电路区的第二层间介质相连，并且其上表面相平齐；本发明通过使器件存储区和外围电路区具备不同的层间介质结构，保证层间介质在具有较高填充深宽比的存储区做到无空洞填充，同时又不会损伤外围电路区的隧穿氧化层，可兼顾存储区层间介质的无空洞填充和外围电路区隧穿氧化层的可靠性，做到功能性和可靠性的双重保障。

主权项

1.一种非易失存储器结构，其特征在于，包括建立在同一半导体基底上的存储区和外围电路区，所述存储区和外围电路区上覆盖有层间介质；其中，所述外围电路区上从下往上依次覆盖有第一、第二层间介质，所述存储区上覆盖有第二层间介质，所述存储区的第二层间介质与所述外围电路区的第二层间介质相连，并且其上表面相平齐；其中，所述存储区包括复数个第一栅极区，所述外围电路区包括复数个第二栅极区，所述第一栅极区从下往上依次包括隧穿氧化层、浮栅、极间氧化层、控制栅；所述第二栅极区从下往上依次包括隧穿氧化层和栅极；所述第一、第二栅极区各具有栅极侧墙，并各被通孔刻蚀阻挡层包围；在所述第一、第二栅极区两侧的半导体基底中各具有源极和漏极；所述存储区和外围电路区之间具有隔离结构；所述第一层间介质为无等离子体损伤的氧化层，所述第二层间介质为具备良好填充能力的任一氧化层；其中，通过使存储区和外围电路区具备不同的层间介质结构，保证层间介质在存储区做到无空洞填充，同时又不会损伤外围电路区的隧穿氧化层，做到功能性和可靠性的双重保障。