[发明专利]一种增强型绝缘埋层AlGaN-GaN高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201610705225.6 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106328700B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;魏家行;陈欣;李秀军;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214135 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层上表面形成栅绝缘层，在栅绝缘层上形成栅极，在AlGaN掺杂层上部形成源极且所述源极位于栅极的一侧，栅极的另一侧形成漏极，所述源极和漏极始于AlGaN掺杂层上部并止于本征GaN层内部，贯穿AlGaN掺杂层，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，其特征在于，在本征GaN层的内部设有绝缘层，所述绝缘层位于栅极正下方且始于AlGaN掺杂层下表面并止于AlN成核层上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 绝缘 algan gan 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种增强型绝缘埋层AlGaN‑GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底(1)，在Si基衬底(1)上形成有A1N成核层(2)，在A1N成核层(2)上形成有本征GaN层(3)，在本征GaN层(3)上形成有AlGaN掺杂层(4)，在AlGaN掺杂层(4)的上表面形成栅绝缘层(5.2)，在栅绝缘层(5.2)上形成栅极(6)，在AlGaN掺杂层(4)上部形成有源极(7)且所述源极(7)位于栅极(6)的一侧，所述源极(7)始于AlGaN掺杂层(4)上部并止于本征GaN层(3)内部，贯穿AlGaN掺杂层(4)，在AlGaN掺杂层(4)上部还形成有漏极(8)且漏极(8)位于栅极(6)的另一侧，所述漏极(8)始于AlGaN掺杂层(4)上部并止于本征GaN层(3)内部，贯穿AlGaN掺杂层(4)，在栅极(6)、源极(7)和漏极(8)上形成有钝化层(9)，其特征在于，在本征GaN层(3)的内部设有绝缘埋层(10)，所述绝缘埋层(10)位于所述栅极(6)的正下方且始于AlGaN掺杂层(4)下表面并止于AlN成核层(2)上表面。
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