[发明专利]一种积累型功率DMOS器件有效
| 申请号： | 201610705710.3 | 申请日： | 2016-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN106206738B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 任敏;罗蕾;李家驹;钟子期;李泽宏;张金平;高巍;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种积累型DMOS。本发明提出的一种积累型功率DMOS器件新结构，利用肖特基结的势垒区耗尽栅下的半导体区，从而解决常规积累型功率DMOS为常开型器件的问题。本发明提出的积累型功率DMOS除了是一种常关型器件，还具有阈值电压较低、导通电阻较小、体二极管反向恢复特性好、不存在寄生三极管等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 积累 功率 dmos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种积累型功率DMOS，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、N+衬底(2)、N漂移区(3)和金属化源极(10)；所述N漂移区(3)上层具有N‑型轻掺杂区(8)；所述N‑型轻掺杂区(8)正上方具有N+重掺杂区(9)；所述N+重掺杂区(9)的上表面与金属化源极(10)接触；所述N漂移区(3)内部还具有第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽沿N+重掺杂区(9)上表面中部垂直向下依次贯穿N+重掺杂区(9)和N‑型轻掺杂区(8)后延伸入N漂移区(3)中；所述第二沟槽位于第一沟槽两侧，第二沟槽沿N+重掺杂区(9)上表面垂直向下依次贯穿N+重掺杂区(9)和N‑型轻掺杂区(8)后延伸入N漂移区(3)中；所述第一沟槽中具有多晶硅栅电极(4)和厚氧化层(51)，所述多晶硅栅电极(4)位于厚氧化层(51)的正上方，所述多晶硅栅电极(4)两侧具有栅氧化层(53)，所述多晶硅栅电极(4)正上方具有隔离氧化层(54)；所述第二沟槽的上部填充金属(7)，所述金属(7)的顶部与金属化源极(10)直接接触，所述金属(7)的正下方具有多晶硅场板(6)和氧化层(52)，所述多晶硅场板(6)的侧面及底部被氧化层(52)包围；所述金属(7)与N‑型轻掺杂区(8)形成肖特基接触，金属(7)与N+重掺杂区(9)形成欧姆接触；所述N‑型轻掺杂区(8)的宽度等于或小于金属(7)与N‑型轻掺杂区(8)形成的肖特基结在不加偏置时的势垒区宽度；所述N‑型轻掺杂区(8)下表面的深度大于金属(7)的下表面的深度，N‑型轻掺杂区(8)下表面的深度小于多晶硅栅电极(4)下表面的深度；所述氧化层(5)为二氧化硅或者二氧化硅和氮化硅的复合材料；在氧化层(52)和厚栅氧化层(51)下方，注入了P型埋层(11)。
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