[发明专利]低温高速生长SiC单晶的助熔剂有效
| 申请号： | 201610705887.3 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106119951B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 雷云;马文会;谢克强;吕国强;伍继君;魏奎先;秦博;李绍元;刘占伟;于洁;戴永年 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C30B9/12 | 分类号： | C30B9/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨（Pr）、铈（Ce）、镧（La）、镝（Dy）和铽（Tb），SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅（≥99.9999%）一起加热熔融，然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处，旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长；晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出；最后，用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 高速 生长 sic 熔剂 | ||
【主权项】：
1.一种制备SiC单晶的方法，具体步骤如下：（1）将助熔剂与高纯硅一起放入到高纯致密石墨坩埚中在1673~1873K加热至熔融态，以惰性气体作为保护气；（2）待步骤（1）中的物料完全熔化后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5 cm处；（3）以1~40圈/min的旋转速度旋转籽晶杆或者熔融容器并以5~50K/cm的温度梯度升温进行SiC单晶的生长；（4）晶体生长结束后，将籽晶杆从熔体中移出；（5）用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到SiC单晶；其中，所述助熔剂为稀土金属镨、铈、镧、镝、铽中的任意一种；所述高纯硅中硅的含量不低于99.9999%。
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