[发明专利]一种高LED发光效率的外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201610705933.X | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN106129209B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张韧剑;李志聪;冯亚萍;王辉;孙一军;王国宏 | 申请（专利权）人： | 扬州中科半导体照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高LED发光效率的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域，在衬底的同一侧依次外延生长缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、AlN/GaN叠层结构MQB层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层，在温度为1100～1200℃、压力为50～400mbar的条件下，在N型掺杂GaN层上生长形成AlN/GaN叠层结构MQB层。本发明生产方法简单，在生长AlN/GaN MQB层时，稳定反应室的温度和压力，通过控制三甲基镓（TMGa）和三甲基铝（TMAl）注入反应室的时间和流量就可以实现，能明显改善电流扩展，提高LED发光二极管的亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 发光 效率 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高LED发光效率的外延片，在衬底的同一侧依次设置缓冲层、非故意掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、N型AlN/GaN叠层结构MQB层、多量子阱层、电子阻挡层和P型掺杂GaN层；其特征在于所述N型AlN/GaN叠层结构MQB 层由2～8对AlN/GaN层组成；每对AlN/GaN层的总厚度为1～10nm，每对AlN/GaN层中AlN与GaN的厚度比为0.2～5∶1，相邻对的AlN与GaN的厚度比呈梯度变化。
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