[发明专利]一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法

摘要

本发明公开了一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法，其主要步骤有：1）表面涂覆高温键合剂的圆片与涂覆低温键合剂的第一载体键合；2）圆片减薄成超薄片，其后依次完成背面通孔、背面金属化等常规背面工艺；3）超薄片与第一载体分离；4）超薄片贴附第二载体后清洗去除高温键合剂和低温键合剂；5）超薄片与第二载体分离；6）超薄片在第三载体上进行电性能测试；7）薄片贴附第二载体，进行晶圆切割。该工艺优点有：1）超薄片在背面工艺过程中均有载体支撑，有助于降低薄片在背面工艺过程中的裂片率，提高工艺良率；2）所用载体均为半导体的常规尺寸载体，工艺过程适合设备批量生产，技术成熟度高。该工艺技术具有良好的市场应用前景。

主权项

1.一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法，其特征在于：包括以下步骤：1)圆片键合：将正面涂覆高温键合剂的半导体圆片与涂覆低温键合剂的第一载体键合；2)背面加工：键和后圆片减薄成超薄片，其后依次完成背面通孔、背面金属化等常规背面工艺；3)圆片分离：通过热分离法使低温键合剂软化，实现超薄片与第一载体的分离；4)超薄片二次贴附载体：将超薄片背面贴附在第二载体上；5)超薄片清洗：通过化学试剂去除超薄片表面的低温键合剂和高温键合剂；6)超薄片二次分离：通过解胶法实现超薄片与第二载体的分离；7)超薄片电性能测试：超薄片放置在多孔的第三载体上，通过真空吸附固定超薄片，其后进行电学性能测试；8)超薄片三次贴附载体：将超薄片背面贴附在第二载体上；9)超薄片切割：在第二载体上对超薄片进行切割；所述低温键合剂软化温度T1低于高温键合剂软化温度T2，但高于半导体圆片键合后到去键合前背面加工过程中的最高加工温度T3；热分离法使用的去键合温度T4介于低温键合剂软化温度T1和高温键合剂软化温度T2之间，即T3

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610706288.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。