[发明专利]芯片封装方法及封装结构

摘要

本发明提供芯片封装方法及封装结构。该方法包括：提供晶圆，晶圆具有第一表面以及第二表面，晶圆第一表面集成有多个芯片单元；在相邻芯片单元的焊盘衬垫之间形成第一凹槽；在第一凹槽内以及晶圆第一表面形成第一绝缘层；在第一绝缘层的表面制作第一线路层；在第一凹槽内填充第一胶水并固化；在晶圆第二表面形成第二凹槽；在第二凹槽内填充第二胶水并固化；在晶圆第二表面键合补强绝缘基板；形成贯穿补强绝缘基板以及第二凹槽的第三凹槽；在第三凹槽内以及补强绝缘基板上形成第二线路层，第二线路层与第一线路层电连接。本发明提供的芯片封装方法及封装结构，解决了晶圆焊盘衬垫处所述晶圆比较薄，易断裂，封装强度可靠性不高的问题。

主权项

1.晶圆级芯片封装方法，其特征在于，所述方法包括：步骤110、提供晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，所述晶圆第一表面集成有多个芯片单元，每个所述芯片单元在所述第一表面设置有若干焊盘衬垫；步骤120、在相邻所述芯片单元的焊盘衬垫之间形成第一凹槽；步骤130、在所述第一凹槽内以及所述晶圆第一表面形成第一绝缘层，所述第一绝缘层具有多个开口结构，所述开口结构露出所述焊盘衬垫；步骤140、在所述第一绝缘层的表面制作第一线路层，所述第一线路层与所述焊盘衬垫电连接；步骤150、在所述第一凹槽内填充第一胶水并固化；步骤160、在所述晶圆第二表面形成第二凹槽，所述第二凹槽位于所述第一凹槽的下方，且所述第二凹槽底部露出所述第一绝缘层；步骤170、在所述第二凹槽内填充第二胶水并固化；步骤180、在所述晶圆第二表面键合补强绝缘基板；步骤190、形成贯穿所述补强绝缘基板以及所述第二凹槽的第三凹槽，所述第三凹槽露出部分所述第一线路层；步骤200、在所述第三凹槽内以及所述补强绝缘基板上依次形成第二线路层和阻焊层，所述第二线路层与所述第一线路层电连接；步骤210、沿所述第三凹槽切割所述多个芯片单元形成多个独立芯片；在所述步骤200之后，以及在所述步骤210之前，还包括步骤211：在所述第三凹槽内填充第三胶水并固化；所述步骤190包括：通过机械切割工艺形成贯穿所述补强绝缘基板以及所述第二凹槽的第三凹槽，所述第三凹槽底部位于所述第一凹槽内，所述第三凹槽的侧壁露出部分所述第一线路层；或者，所述步骤190包括：通过刻蚀工艺形成贯穿所述补强绝缘基板以及所述第二凹槽的第三凹槽；所述第三凹槽底部露出部分所述第一线路层。