[发明专利]像素结构及制作方法有效
申请号: | 201610708340.9 | 申请日: | 2016-08-23 |
公开(公告)号: | CN106229300B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 陈永胜;徐湘伦 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;H01L29/06 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种像素结构及制作方法,该像素结构包括:一基板;阳极电极层,其设置于所述基板上;多个像素单元,其设置于所述阳极电极层上并呈矩形阵列排布,每一所述像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同;阴极电极层,其设置于所述多个像素单元之上。本发明具有提高金属光罩制程能力以及提高像素单元的解析度的目的。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括:一基板;阳极电极层,其设置于所述基板上;多个像素单元,其设置于所述阳极电极层上并呈矩形阵列排布,每一所述像素单元包括四个呈矩形阵列排布的子像素单元;任意相邻两个像素单元的相邻的一侧上的相互正对的两个子像素单元的发光颜色相同,每一所述像素单元包括红色子像素单元、绿色子像素单元、蓝色子像素单元以及白色子像素单元;阴极电极层,其设置于所述多个像素单元之上;所述像素结构还包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层以及电子注入层,所述像素单元、所述空穴传输层、所述空穴注入层以及所述阳极电极层依次层叠设置;所述阴极电极层、所述电子注入层、所述电子传输层以及所述像素单元依次层叠设置;所述红色子像素单元包括依次层叠设置于所述空穴传输层上的黄色发光层以及红色发光层;所述白色子像素单元包括依次层叠设置于所述空穴传输层上的蓝色发光层、黄色发光层、红色发光层;所述空穴传输层的各区域厚度为预设值,从而使得所述红色子像素单元的发光区位于对应的红色发光层,所述白色子像素单元的发光区位于对应的黄色发光层与蓝色发光层的交界处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610708340.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造