[发明专利]一种磁控溅射装置及磁控溅射方法有效

专利信息
申请号: 201610708664.2 申请日: 2016-08-23
公开(公告)号: CN106222621B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 闫宗楷;黄楷;向勇;李响;彭志 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 成都玖和知识产权代理事务所(普通合伙) 51238 代理人: 黎祖琴
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种磁控溅射装置,包括磁力发生机构、至少一靶材区与可旋转基底,所述靶材区固定至少一靶材,靶材中心与靶材区中心重合或靶材中心到其所在靶材区中心距离相同,该磁力发生机构平行于靶材设置,基底相对于靶材设置,所述磁力发生机构产生磁力线,磁力线映射到靶材表面,使靶材表面形成有环形均匀分布的多个刻蚀区;本发明还涉及一种磁控溅射方法,包括如下步骤:提供靶材,并在靶材表面形成环形均匀分布的多个刻蚀区;提供可旋转基底,该基底相对于靶材设置,以使基底旋转时经过靶材表面形成的每一条刻蚀区。
搜索关键词: 一种 磁控溅射 装置 方法
【主权项】:
1.一种磁控溅射装置,其特征在于:包括磁力发生机构、至少一靶材区与可旋转基底,所述靶材区固定至少一靶材,靶材中心与靶材区中心重合或靶材中心到其所在靶材区中心距离相同,该磁力发生机构平行于靶材设置,基底相对于靶材设置,所述磁力发生机构产生磁力线,磁力线映射到靶材表面,使靶材表面形成有环形均匀分布的多个刻蚀区,可旋转基底在旋转时,基底上与刻蚀区相对应的各点依次通过对应刻蚀区上的点,使基底上每一点的薄膜沉积速率一致。
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